然而，背后实验产生的数据量、种类、准确性和速度成阶梯式增长，使传统的分析方法变得困难

相究G平均晶粒大小随深度的变化（为粉线以上的图）。这种位错在TBs之间往复运动，背后导致循环后样品微观结构整体呈现之字形（见Figure6）。

相究 晶粒与晶粒之间的接触界面叫做晶界。背后（B）成分为Fe-0.2C-8Mn-0.2Mo-0.05Nb（%）中锰钢的力学性能：Micro-alloyedART表示两相区退火处理的微合金化样品。连续晶体塑性变形模型表明：相究纳米孪晶Cu中，在以TB为中心的高位错密度的一个小区域内，塑性流动的阻力较弹性晶格更弱，对形变率的敏感性更大。

通过TEM等表征，背后他们发现晶界迁移伴随晶粒长大是梯度纳米金属铜的变形机制。相究Schokley分位错扫过区域:：ABCABC/BCABC…。

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化学界面工程原则上可以拓展到其他合金体系中，相究也可能用作一种表面处理工艺。背后图3(a)不同样品的介电频谱图。

相究(d)NKBT/NKBT-ST(N=6)多层膜的AFM表面形貌图。背后(b)在平整和弯曲状态下多层结构原子堆叠示意图。

相究(b)不同样品的介电击穿强度的威布尔分布。背后相关成果以EnergystorageperformanceofflexibleNKBT/NKBT-ST multilayerfilmcapacitorbyinterfaceengineering为题发表在国际著名期刊NanoEnergy上。